Improvements in TOF-SIMS instrumentation for analytical application and fundamental research

Die vorliegende Arbeit beschäftigt sich sowohl mit der Entwicklung der TOF-SIMS Gerätetechnologie als auch mit deren Anwendung. Entwicklungen wie eine neue, extrem niederenergetische Sputterionenquelle (200 eV - 2 keV) bei gleichzeitig deutlich gesteigerten Ionenströmen, eine massengefilterte Goldcl...

Author: Grehl, Thomas
Further contributors: Benninghoven, Alfred (Thesis advisor)
Division/Institute:FB 11: Physik
Document types:Doctoral thesis
Media types:Text
Publication date:2003
Date of publication on miami:22.04.2003
Modification date:16.12.2015
Edition statement:[Electronic ed.]
Subjects:TOF-SIMS; Tiefenprofilierung; Atomic Mixing; Mikrobereichsanalyse
DDC Subject:530: Physik
License:InC 1.0
Language:English
Format:PDF document
URN:urn:nbn:de:hbz:6-85659547784
Permalink:http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:hbz:6-85659547784
Digital documents:dissertation_thomas_grehl.pdf

Die vorliegende Arbeit beschäftigt sich sowohl mit der Entwicklung der TOF-SIMS Gerätetechnologie als auch mit deren Anwendung. Entwicklungen wie eine neue, extrem niederenergetische Sputterionenquelle (200 eV - 2 keV) bei gleichzeitig deutlich gesteigerten Ionenströmen, eine massengefilterte Goldcluster-Flüssigmetallionenquelle oder das simultane Sputtern mit Cs- und Xe-Ionen zur Einstellung der Oberflächenchemie und Optimierung der Sekundärionenausbeute werden beschrieben. Die neuen Komponenten werden zur Untersuchung des atomic mixings unter den speziellen Bedingungen des Dual-Beam Verfahrens im TOF-SIMS verwendet. Ein weiteres Kapitel widmet sich der Sekundärionenbildung Cs-bedeckter Metalloberflächen. Im letzten Kapitel wird die Anwendung von TOF-SIMS zur Untersuchung von Mikrovolumina von einigen 10 µm Ausdehnung und einigen µm Tiefe diskutiert.