In dieser Arbeit wurde das komplexe Mischungsverhalten des quasiternären Halbleitersystems Hg 3-3k Ga 2k V k Se 3l Te 3-3l mit den Methoden der Elektronenstrahl-Mikroanalyse und der Röntgenbeugungs-Phasenanalyse untersucht. Eine Besonderheit des Zustandsdiagramms ist die Ausbildung isolierter und z.T. engstöchiometrischer Produktphasen, die in einer Kristallstruktur kristallisieren, die niedriger symmetrisch ist als die der binären Ausgangsverbindungen HgTe, HgSe, Ga 2 Se 3 und Ga 2 Te 3. Der Grund für die Ausbildung der Produktphasen sind strukturelle Leerstellen V, d.h. nicht besetzte Plätze im Metallteilgitter, die neben den zwei metallischen Komponenten Ga und Hg als dritte Komponente im Metallteilgitter berücksichtigt werden müssen. Bei bestimmten Gehalten an Leerstellen treten temperaturabhängige Ordnungsphänomene auf, die zur Ausbildung von Überstrukturen führen und das Mischungsverhalten im quasiternären System Hg 3-3k Ga 2k V k Se 3l Te 3-3l bestimmen.