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Strukturelle und thermodynamische Eigenschaften des quasiternären Systems Hg 3-3k Ga 2k V k Se 3l Te 3-3l

In dieser Arbeit wurde das komplexe Mischungsverhalten des quasiternären Halbleitersystems Hg 3-3k Ga 2k V k Se 3l Te 3-3l mit den Methoden der Elektronenstrahl-Mikroanalyse und der Röntgenbeugungs-Phasenanalyse untersucht. Eine Besonderheit des Zustandsdiagramms ist die Ausbildung isolierter und z.T. engstöchiometrischer Produktphasen, die in einer Kristallstruktur kristallisieren, die niedriger symmetrisch ist als die der binären Ausgangsverbindungen HgTe, HgSe, Ga 2 Se 3 und Ga 2 Te 3. Der Grund für die Ausbildung der Produktphasen sind strukturelle Leerstellen V, d.h. nicht besetzte Plätze im Metallteilgitter, die neben den zwei metallischen Komponenten Ga und Hg als dritte Komponente im Metallteilgitter berücksichtigt werden müssen. Bei bestimmten Gehalten an Leerstellen treten temperaturabhängige Ordnungsphänomene auf, die zur Ausbildung von Überstrukturen führen und das Mischungsverhalten im quasiternären System Hg 3-3k Ga 2k V k Se 3l Te 3-3l bestimmen.

Titel: Strukturelle und thermodynamische Eigenschaften des quasiternären Systems Hg 3-3k Ga 2k V k Se 3l Te 3-3l
Verfasser: Kerkhoff, Martina GND
Gutachter: Khun, Michael GND
Organisation: FB 12: Chemie und Pharmazie
Dokumenttyp: Dissertation/Habilitation
Medientyp: Text
Erscheinungsdatum: 2002
Publikation in MIAMI: 09.10.2003
Datum der letzten Änderung: 06.01.2016
Schlagwörter: Zustandsdiagramm; Chalkogenide; Röntgenbeugung; Thermodynamik; Ordnungsphänomene
Fachgebiete: Chemie
Sprache: Deutsch
Format: PDF-Dokument
URN: urn:nbn:de:hbz:6-85659542537
Permalink: https://nbn-resolving.org/urn:nbn:de:hbz:6-85659542537
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