Experimental analysis of spatial states in broad-area vertical-cavity surface-emitting lasers

In dieser Arbeit wird die spontane Musterbildung in der Emission von oberflächen-emittierenden Halbleiterlasern (englisch "Vertical-cavity surface-emitting lasers", kurz VCSEL) untersucht. Dabei handelt es sich um VCSEL mit großer quadratischer (30 30 µm² und 40 40 µm²) und runder (80 µm D...

Author: Schulz-Ruhtenberg, Malte
Further contributors: Ackemann, Thorsten (Thesis advisor)
Division/Institute:FB 11: Physik
Document types:Doctoral thesis
Media types:Text
Publication date:2008
Date of publication on miami:05.08.2008
Modification date:15.04.2016
Edition statement:[Electronic ed.]
Subjects:Halbleiterlaser; VCSEL; Laser; Polarisation; optische Rückkopplung; Musterbildung
DDC Subject:530: Physik
License:InC 1.0
Language:English
Format:PDF document
URN:urn:nbn:de:hbz:6-14549409755
Permalink:http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:hbz:6-14549409755
Digital documents:diss_schulz_ruhtenberg.pdf

In dieser Arbeit wird die spontane Musterbildung in der Emission von oberflächen-emittierenden Halbleiterlasern (englisch "Vertical-cavity surface-emitting lasers", kurz VCSEL) untersucht. Dabei handelt es sich um VCSEL mit großer quadratischer (30 30 µm² und 40 40 µm²) und runder (80 µm Durchmesser) Apertur. Diese Laser neigen aufgrund ihrer sehr hohen Fresnelzahl zu der Emission von stark divergenten Transversalmoden, welche sich in Form von Intensitätsmodulationen des Laserstrahls zeigen. Die Ergebnisse der Arbeit umfassen eine quantitative Untersuchung der Abhängigkeit der Musterlängenskalen von den Betriebsparametern, eine Erklärung der Entstehung der Emissionsmuster und deren komplexer Polarisationsverteilung, sowie eine Untersuchung der Kontrolle der Mustereigenschaften durch Rückkopplung.